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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
総合得点
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
総合得点
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
7.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
47
51
周辺 -9% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
10
9.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
51
47
読み出し速度、GB/s
9.8
10.0
書き込み速度、GB/秒
8.2
7.5
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2182
2308
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAMの比較
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
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