RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
41
Autour de -28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
3279
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link