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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
41
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.8
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.9
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
29
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
22.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
16.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
3792
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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