RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
55
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
55
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
2457
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link