RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
41
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.4
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
25
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
19.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
4129
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link