RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
55
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
55
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1438
2701
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link