RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
55
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
55
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1438
2701
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link