RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Porównaj
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
38
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
38
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2926
2148
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link