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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
38
左右 53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
10.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
38
读取速度,GB/s
17.7
14.2
写入速度,GB/s
13.1
10.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
2148
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
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