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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
比较
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
总分
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
43
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
32
读取速度,GB/s
12.7
15.3
写入速度,GB/s
8.0
10.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2706
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
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