RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
43
Autour de -79% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.9
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
18.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1314
4207
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link