RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Note globale
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
45
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.6
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
45
Vitesse de lecture, GB/s
10.7
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1314
2036
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link