RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
19.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
87
Autour de -335% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
20
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
19.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
4215
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Inmos + 256MB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link