Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Note globale
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Note globale
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    2 left arrow 17.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    48 left arrow 75
    Autour de -56% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.3 left arrow 2,072.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 5300
    Autour de 4.83 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    75 left arrow 48
  • Vitesse de lecture, GB/s
    2,730.3 left arrow 17.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    2,072.7 left arrow 8.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • Description
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Timings / Vitesse d'horloge
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    858 left arrow 2196
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons