Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

总分
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

总分
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    2 left arrow 17.5
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    48 left arrow 75
    左右 -56% 更低的延时
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.3 left arrow 2,072.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    25600 left arrow 5300
    左右 4.83 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    75 left arrow 48
  • 读取速度,GB/s
    2,730.3 left arrow 17.5
  • 写入速度,GB/s
    2,072.7 left arrow 8.3
  • 内存带宽,mbps
    5300 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    858 left arrow 2196
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