Porównanie pamięci RAM Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Wynik ogólny

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

48 75

Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.3 2,072.7

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 5300

Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara

no data 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

858 2196

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns