RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
77
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
64
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1845
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link