RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
76
Autour de 50% latence réduite
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
76
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
1718
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link