RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.6
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
38
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
24
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
1633
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link