RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
38
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.1
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
29
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
16.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
3748
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link