RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
38
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.1
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
19
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
3314
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link