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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
38
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
27
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.6
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1406
3963
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
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