RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
43
Autour de -72% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
25
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
3519
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link