RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
43
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
26
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
3866
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link