RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
43
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
40
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
13.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
2204
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link