RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
92
Autour de -136% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
39
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2478
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link