RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
92
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
2478
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R744G2133U1S 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link