RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Comparez
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Note globale
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Note globale
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
37
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
30
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2065
2969
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link