RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
37
Intorno -23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
14900
Intorno 1.29 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
30
Velocità di lettura, GB/s
9.8
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
19200
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2065
2969
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link