Confronto tra le RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 17000

Intorno 1.51% larghezza di banda superiore

Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 33

Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

18.1 17.6

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

14.8 12.0

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2910 3564

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns