RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.1
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
12.0
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
18.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
3564
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link