RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
17.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
28
Скорость чтения, Гб/сек
17.6
18.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2910
3564
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link