Comparação RAM Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Pontuação geral

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Maior largura de banda de memória, mbps

25600 17000

Por volta de 1.51% maior largura de banda

Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 33

Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

18.1 17.6

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

14.8 12.0

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2910 3564

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns