RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Comparez
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Note globale
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Note globale
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
46
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
43
Vitesse de lecture, GB/s
11.6
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1854
2058
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link