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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Comparez
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Note globale
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Note globale
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Différences
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Raisons de considérer
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
42
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.2
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2152
2470
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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