SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB

SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB

Note globale
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SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Note globale
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Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB

Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    13.6 left arrow 12
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.7 left arrow 6.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    12800 left arrow 10600
    Autour de 1.21% bande passante supérieure
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    27 left arrow 42
    Autour de -56% latence réduite

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B2873FH0-CH9 1GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    42 left arrow 27
  • Vitesse de lecture, GB/s
    13.6 left arrow 12.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.7 left arrow 6.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2143 left arrow 1479
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons