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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Comparez
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Note globale
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Différences
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Raisons de considérer
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
27
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.8
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2650
2880
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
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