RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.1
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
13.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1822
3241
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link