RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1822
3241
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link