RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Note globale
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
28
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
23
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1822
2591
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KL9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G133381 2GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link