RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB против Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
28
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.2
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1822
2591
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link