RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Comparez
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
41
Autour de -37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.1
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1484
3254
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link