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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
10.1
16.7
写入速度,GB/s
7.1
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
3254
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
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