RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Comparez
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Note globale
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2535
3038
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link