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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Comparez
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Note globale
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.2
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
52
Autour de -41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.4
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
14900
Autour de 1.29 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
37
Vitesse de lecture, GB/s
9.9
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14900
19200
Other
Description
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2285
2213
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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