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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Comparar
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
7.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
52
Por volta de -41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.4
9.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
14900
Por volta de 1.29 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
37
Velocidade de leitura, GB/s
9.9
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
7.8
Largura de banda de memória, mbps
14900
19200
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2285
2213
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
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