RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
52
65
Autour de -25% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.1
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
52
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
2182
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Comparaison des RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link