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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
51
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
31
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
3649
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-062.A00G 32GB
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G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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