Comparaison de la RAM Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Note globale

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

31 51

Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

20.5 15.6

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

15.5 11.8

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2687 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns