RAM-Vergleich Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Gesamtnote

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

31 51

Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.5 15.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

15.5 11.8

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2687 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns