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SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Comparez
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Note globale
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
65
Autour de -261% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
1,711.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
18
Vitesse de lecture, GB/s
4,018.7
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,711.1
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
513
3536
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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